Hambwrdd Arnofio Aer wedi'i Gorchuddio â TaC 8 modfedd ar gyfer Epitacsi SiC

Mae'r hambwrdd arnofio aer wedi'i orchuddio â TaC 8 modfedd yn gydran hanfodol mewn prosesau epitacsi SiC aml-wafer, wedi'i gynllunio i gynnal a chludo waferi silicon carbid yn ystod twf epitacsial. Yn amgylchedd heriol ffwrneisi epitacsi SiC, rhaid i hambyrddau wrthsefyll tymereddau uchel eithafol, nwyon cyrydol, a chylchoedd prosesu hir. Trwy gyfuno cotio TaC CVD â swbstradau graffit purdeb uchel, mae'r hambwrdd arnofio aer hwn yn sicrhau gwydnwch uwch, sefydlogrwydd thermol, ac unffurfiaeth prosesau - gan ei wneud yn elfen hanfodol mewn gweithgynhyrchu waferi SiC cyfaint uchel.

Ⅰ. Cyfansoddiad Deunydd a Phriodweddau Ffisegol

Mae'r hambwrdd arnofio aer wedi'i orchuddio â TaC yn integreiddio deunyddiau uwch i gyflawni'r gwydnwch mecanyddol a'r ymwrthedd cemegol sy'n ofynnol mewn epitacsi lled-ddargludyddion:

● Deunydd Swbstrad: Susceptor graffit purdeb uchel (cynnwys amhuredd isel iawn, dargludedd thermol uchel)

● Haen Diogelu Arwyneb: Gorchudd TaC CVD (Tantalum Carbide) wedi'i roi trwy ddyddodiad anwedd cemegol ar gyfer gwrthsefyll traul a chorydiad eithafol

Priodweddau Ffisegol Allweddol:

Purdeb Gorchudd TaC: ≥ 99.99%

Caledwch (HK): ~2000 HK

Pwynt Toddi: ~3,880 °C

Dargludedd Thermol: Rhagorol, gan sicrhau gwresogi wafer unffurf

Gwrthiant i Gyrydiad Halogen: Sefydlogrwydd rhagorol mewn amgylcheddau epitacsial sy'n llawn clorin a fflworin

Dwysedd Graffit Sylfaenol: ~1.85–1.95 g/cm³

Tymheredd Gweithio: Hyd at 2,000 °C mewn amgylcheddau rheoledig

Mae'r priodweddau hyn yn sicrhau y gall yr hambwrdd wedi'i orchuddio â TaC 8 modfedd wrthsefyll rhediadau epitacsial hir wrth leihau cynhyrchu gronynnau a halogiad wafer.

Ⅱ. Swyddogaethau Allweddol mewn Epitacsi SiC

Mae ein hambwrdd wedi'i orchuddio â TaC 8 modfedd yn chwarae rhan hanfodol yn y broses epitacsi SiC lled-ddargludyddion trwy gyflawni sawl swyddogaeth hanfodol:

● Dosbarthiad Tymheredd Unffurf: Mae dargludedd thermol uchel y swbstrad graffit a'r haen TaC yn sicrhau trosglwyddiad gwres rhagorol a thymheredd unffurf ar draws pob wafer SiC. Mae'r unffurfiaeth hon yn hanfodol ar gyfer cyflawni trwch a morffoleg haen epitacsial cyson.

● Amddiffyniad yn erbyn Ysgythru a Halogiad: Mae'r haen TaC anadweithiol yn gemegol yn atal y swbstrad graffit rhag adweithio â nwyon rhagflaenol yn effeithiol, a all achosi ysgythriad a chynhyrchu halogiad gronynnol. Mae'r amddiffyniad hwn yn allweddol i gynnal amgylchedd proses glân a sicrhau cynnyrch waffer uchel.

● Hyd Oes Estynedig: Mae'r haen TaC wydn yn ymestyn oes y susceptor yn sylweddol trwy amddiffyn y graffit rhag traul a dirywiad cemegol, gan leihau amlder ei ailosod a gostwng costau gweithredu.

● Dyluniad Arnof Aer: Mae'r dyluniad arnofio aer unigryw yn lleihau cyswllt corfforol rhwng y susceptor a'r siambr, gan leihau ffrithiant ac atal cynhyrchu gronynnau posibl a allai halogi'r wafferi. Dyma pam ei fod hefyd yn cael ei adnabod fel Hambwrdd Arnofio Aer wedi'i Orchuddio â TaC.

Manteision Semixlab

Yn Semixlab, rydym yn mynd y tu hwnt i gynhyrchion safonol i ddarparu atebion wedi'u teilwra sy'n diwallu anghenion penodol eich proses epitacsi.

● Addasu: Rydym yn cynnig opsiynau addasu cynhwysfawr, gan gynnwys gwahanol siapiau, meintiau a thrwch cotio, i gyd-fynd yn berffaith â manylebau eich adweithydd a gofynion proses.

● Ymgynghoriad Technegol Arbenigol: Mae ein tîm o beirianwyr profiadol yn darparu cymorth technegol a chyngor manwl, gan eich helpu i wneud y gorau o'ch proses ac integreiddio ein cynnyrch yn ddi-dor.

● Profi Cyn-Llongau Trylwyr: Mae pob plât wedi'i orchuddio â TaC yn cael ei brofi mewn cyflwr eithafol cyn ei gludo. Rydym yn gwirio ei berfformiad a'i gyfanrwydd o dan dymheredd uchel ac mewn amgylcheddau cemegol ymosodol i sicrhau y bydd yn diwallu eich anghenion gweithredol heriol.