Susceptor Cylchdro wedi'i Gorchuddio â TaC

Mae swbstradau cylchdroi wedi'u gorchuddio â TaC Semixlab wedi'u peiriannu'n benodol i fodloni gofynion prosesau epitacsial SiC y genhedlaeth nesaf. Mae ein technoleg cotio TaC, ynghyd â dyluniad cylchdroi wedi'i gydbwyso'n fanwl gywir, yn darparu unffurfiaeth thermol eithriadol mewn amgylcheddau CVD tymheredd uchel, yn lleihau cynhyrchu gronynnau, ac yn sicrhau sefydlogrwydd prosesau hirdymor.

Wrth wraidd y dyluniad hwn mae haenen tantalwm carbid dwys, anadweithiol yn gemegol sy'n amddiffyn y swbstrad graffit rhag cyrydiad hydrogen, dyrnu tymheredd uchel, ac adweithiau â nwyon rhagflaenydd sy'n cynnwys silicon neu garbon. Mae pwynt toddi uwch-uchel TaC a'i ddargludedd thermol eithriadol yn sicrhau trosglwyddiad gwres sefydlog ac unffurf yn ystod epitacsi 4H-SiC, gan gefnogi tymereddau twf sy'n fwy na 1600-1700°C. Trwy gynnal maes thermol rheoledig yn ystod cylchdroi wafer, mae'r swbstrad hwn yn sicrhau dosbarthiad rhagflaenydd unffurf, llif laminar gwell, ac unffurfiaeth eithriadol ar lefel wafer o ran trwch a chrynodiad dopio. Mae hyn yn hanfodol ar gyfer strwythurau dyfeisiau pŵer fel haenau drifft, haenau epitacsial JBS, neu bentyrrau epitacsial foltedd uchel trwchus, lle mae gwyriadau unffurfiaeth yn effeithio'n sylweddol ar gynnyrch a pherfformiad trydanol.

Mae'r swbstrad cylchdroi wedi'i orchuddio â TaC hefyd wedi'i optimeiddio ar gyfer rheoli halogiad, un o'r agweddau pwysicaf mewn epitacsi SiC. Mae wyneb TaC hynod galed yn gwrthsefyll micrograciau, naddion, a sgloddio hyd yn oed ar ôl beicio hir, gan leihau cynhyrchu gronynnau yn sylweddol o fewn y siambr epitacsial. Mae ei briodweddau cemegol sefydlog yn lleihau cyflwyno amhureddau metelaidd neu garbon, gan gadw purdeb ffilm epitacsial a gostwng dwysedd diffygion. Mae'r manteision hyn yn ymestyn cyfnodau cynnal a chadw yn sylweddol, yn cynyddu amser gweithredu'r siambr, ac yn hybu cynhyrchiant cyffredinol offer - yn enwedig mewn amgylcheddau cynhyrchu cyfaint uchel lle mae dibynadwyedd ac ailadroddadwyedd yn effeithio'n uniongyrchol ar gyfanswm cost perchnogaeth.

O safbwynt peirianneg, mae dyluniad swbstrad Semixlab yn manteisio ar gydbwysedd geometrig manwl gywir, trwch cotio wedi'i optimeiddio, a thechnegau trin wyneb uwch i gynnal perfformiad cylchdro cyson o dan dymheredd eithafol. Mae hyn yn gwella effeithlonrwydd gwresogi sefydlu wrth sefydlogi dosbarthiad tymheredd wafer ar draws amodau twf amrywiol. Yn y pen draw, rydym yn darparu datrysiad swbstrad delfrydol ar gyfer gweithgynhyrchu cyfaint uchel ac Ymchwil a Datblygu uwch, gan sicrhau cydnawsedd â llwyfannau epitacsial SiC blaenllaw a graddadwyedd i brosesau wafer 6 modfedd ac 8 modfedd.

Yn y pen draw, mae swbstradau cylchdro wedi'u gorchuddio â TaC Semixlab yn gwasanaethu fel rhyngwyneb proses hynod ddibynadwy, gan wella ansawdd epitacsial, gwella effeithlonrwydd dyfeisiau, a chefnogi'r ffenestri proses tynnach sy'n ofynnol ar gyfer gweithgynhyrchu dyfeisiau pŵer SiC modern. Wedi'i beiriannu ar gyfer oes estynedig, halogiad gronynnau isel, a pherfformiad thermol eithriadol, mae'r cynnyrch hwn yn gydran sylfaenol ar gyfer ffatrïoedd sy'n chwilio am ganlyniadau cynhyrchu epitacsial SiC sefydlog, rhagweladwy, ac o'r radd flaenaf.