Crucible Graffit Pyrolytig

Mae Crucible Graffit Pyrolytig (PG) Semixlab ar gyfer Twf Grisial Sengl SiC yn gydran graidd wedi'i pheiriannu'n fanwl gywir a gynlluniwyd yn benodol ar gyfer twf Cludiant Anwedd Corfforol (PVT) o fowliau 4H- a 6H-SiC a ddefnyddir mewn electroneg pŵer y genhedlaeth nesaf. Wedi'i gynhyrchu gan ddefnyddio technegau dyddodiad anwedd cemegol, mae graffit pyrolytig yn cynnig purdeb uwch-uchel, unffurfiaeth thermol uwchraddol, a chyfanrwydd strwythurol eithriadol ar dymheredd sy'n uwch na 2200°C. Mae'r nodweddion hyn yn gwneud PG yn ddeunydd o ddewis ar gyfer ffwrneisi dyrnu SiC perfformiad uchel, lle mae perffeithrwydd crisialog, sefydlogrwydd tymheredd, a rheoli halogiad yn pennu cynnyrch waffer a pherfformiad trydanol yn uniongyrchol.

O fewn y broses SiC PVT, mae'r crwsibl graffit pyrolytig yn ffurfio'r siambr dyrchafu ganolog sy'n cynnwys y powdr ffynhonnell SiC ac yn diffinio'r graddiannau tymheredd critigol sy'n ofynnol ar gyfer twf crisialau rheoledig. Mae dargludedd thermol anisotropig PG - trwch uwch yn y plân a thrwch is trwyddo - yn galluogi siapio'r maes thermol yn fanwl gywir, gan gefnogi datblygiad proffiliau tymheredd echelinol a rheiddiol wedi'u optimeiddio sy'n lleihau ffurfio diffygion fel BPDs, TSDs, micropibellau, a namau pentyrru. Mae ei mandylledd isel iawn a bron yn sero colli gronynnau yn lleihau dopio a halogiad anfwriadol yn sylweddol, gan sicrhau cynhyrchiad crisial SiC math-n a lled-inswleiddio sefydlog ar draws cylchoedd twf hir sy'n aml yn ymestyn am sawl diwrnod.

Mae anadweithioldeb cemegol cynhenid ​​graffit pyrolytig yn chwarae rhan hanfodol wrth gynnal amgylchedd dyrnu glân drwy gydol y cylch PVT cyfan. Yn wahanol i graffit confensiynol, nid yw PG yn rhyddhau nwyon mewnosodedig nac amhureddau gweddilliol yn ystod amlygiad hirfaith i dymheredd uwch-uchel ac amodau gwactod. Mae'r sefydlogrwydd hwn yn helpu i atal ymgorffori amhureddau fel ocsigen, nitrogen, a halogion metelaidd, a thrwy hynny gefnogi cynhyrchu deunyddiau gwrthiant uchel ar gyfer dyfeisiau RF yn ogystal â swbstradau SiC symudedd uchel ar gyfer MOSFETs pŵer, deuodau Schottky, a modiwlau foltedd uchel.

Mae proses weithgynhyrchu Semixlab yn sicrhau bod pob crwsibl PG yn cynnig dwysedd cyson, haenu CVD homogenaidd wedi'i adneuo, a goddefiannau dimensiynol manwl gywir sy'n hanfodol ar gyfer modelu thermol atgynhyrchadwy a dibynadwyedd ffwrnais hirdymor. Mae prosesau peiriannu a phuro uwch yn darparu arwynebau mewnol llyfn, cynhyrchu llai o ronynnau, ac amrywioldeb trydanol a thermol cyson isel o swp i swp. Mae'r dibynadwyedd hwn yn hanfodol ar gyfer cynnal cyfraddau twf sefydlog, graddiannau tymheredd rhagweladwy, ac amser segur ffwrnais llai mewn llinellau cynhyrchu crisial SiC cyfaint uchel.

Wrth i'r diwydiant lled-ddargludyddion gyflymu ei ddatblygiad tuag at ingotau SiC diamedr mawr, mae'r galw amdanynt yn parhau i dyfu. Mae Crucible Graffit Pyrolytig Semixlab ar gyfer Twf Grisial Sengl SiC yn darparu sylfaen perfformiad uchel, wedi'i rheoli gan halogiad, ar gyfer systemau PVT sy'n targedu gweithgynhyrchu wafferi SiC 150 mm a 200 mm. Trwy gyfuno gallu tymheredd uwch-uchel, anisotropi thermol peirianyddol, a phurdeb eithriadol, mae Semixlab yn galluogi gweithgynhyrchwyr wafferi i gyflawni ansawdd crisial uwch, oes ffwrnais hirach, ac ailadroddadwyedd prosesau gwell—gan gefnogi ehangu byd-eang technolegau trosi pŵer trydan, ynni adnewyddadwy, a diwydiannol.