Modrwy TaC mandyllog

Mae gan silicon carbid (SiC), deunydd lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth, briodweddau rhagorol fel bwlch band uchel, dargludedd thermol uchel, a maes trydan chwalfa uchel, gan ei wneud yn hanfodol mewn meysydd fel cerbydau ynni newydd, cludiant rheilffyrdd, cyfathrebu 5G, ac electroneg pŵer. Mae twf crisialau sengl SiC yn gofyn am dymheredd uchel iawn (>2000°C) ac amgylcheddau ffisegol a chemegol llym, gan osod gofynion uchel iawn ar gydrannau allweddol yr offer tyfu, fel croesliniau a chydrannau maes thermol. Mae Semixlab yn darparu modrwyau tantalwm carbid mandyllog (TaC), gyda'u priodweddau ffisegol a chemegol unigryw, wedi dod yn ddeunydd delfrydol ar gyfer optimeiddio'r broses dyfu crisialau sengl SiC.

Nodweddion craidd cylchoedd tantalwm carbid mandyllog

1. Sefydlogrwydd tymheredd uchel

Pwynt toddi carbid tantalwm hyd at 3880 ℃, yn ystod tymheredd twf grisial sengl carbid silicon (2000-2500 ℃) i gynnal sefydlogrwydd strwythurol, osgoi anffurfiad neu anweddu.

Cyfernod ehangu thermol isel (6.3 × 10⁻⁶/K), gan leihau'r risg o graciau a achosir gan straen thermol.

2. Anadweithiolrwydd cemegol

Mae ganddo gydnawsedd cryf â silicon carbid, graffit a deunyddiau eraill, ac nid yw'n adweithio ag anwedd silicon (Si) a charbon (C) ar dymheredd uchel er mwyn osgoi crisialau llygru. Gwrthiant cyrydiad rhagorol i nwyon silicon/carbon.

Manylion Cyflym:

1. Enwau eraill: Modrwy TaC mandyllog, carbid Tantalwm mandyllog, modrwy wedi'i gorchuddio â TaC

2. Cymhwysiad: Fel cydran graidd y system maes thermol, mae cylch TaC mandyllog yn rheoleiddio dosbarthiad ymbelydredd gwres trwy ei strwythur mandyllog, yn lleihau'r graddiant tymheredd rheiddiol, ac yn gwella unffurfiaeth twf echelinol grisial sengl silicon carbide. Ynghyd â'r gwresogydd graffit, gellir lleihau'r diffygion straen grisial a achosir gan orboethi lleol.

3. Paramedrau craidd: Pwynt toddi carbid tantalwm hyd at 3880 ℃, yn yr ystod tymheredd twf grisial sengl carbid silicon (2000-2500 ℃) i gynnal sefydlogrwydd strwythurol, osgoi anffurfiad neu anweddu.

Cyfernod ehangu thermol isel (6.3 × 10⁻⁶/K), gan leihau'r risg o graciau a achosir gan straen thermol.

Y prif gymhwysiad yn nhwf crisial sengl silicon carbide

1. Dylunio maes thermol a rheoli tymheredd

Fel cydran graidd y system maes thermol, mae'r cylch TaC mandyllog yn rheoleiddio dosbarthiad ymbelydredd gwres trwy ei strwythur mandyllog, yn lleihau'r graddiant tymheredd rheiddiol, ac yn gwella unffurfiaeth twf echelinol y grisial.

Ynghyd â'r gwresogydd graffit, gellir lleihau'r diffygion straen crisial a achosir gan orboethi lleol.

2. Cludo nwy ac optimeiddio adwaith

Mewn ffwrnais twf PVT, gellir defnyddio modrwyau TaC mandyllog fel cyfrwng trylediad nwy i ddosbarthu anwedd Si/C yn gyfartal i wyneb y grisial hadau, a all wella cyfradd twf y grisial ac ansawdd y grisial.

Gall strwythur y mandwll amsugno amhureddau hybrin (fel ïonau metel) a gwella purdeb y grisial (gwrthedd >10⁵ Ω·cm).

3. Cynulliad cynnal oes hir

Yn lle deunyddiau graffit traddodiadol, fe'i defnyddir ar gyfer modrwyau cynnal croeslin neu haenau inswleiddio gwres i osgoi problem powdr graffit ar dymheredd uchel ac ymestyn oes gwasanaeth yr offer (>1000 awr).

Mae'r strwythur mandyllog yn lleddfu crynodiad straen thermol ac yn lleihau'r risg o gracio.

Modrwy TaC a ddefnyddir yn bennaf yn y dull PVT

I grynhoi, mae Cylch TaC Mandyllog Semixlab yn gwella ansawdd crisial: mae maes thermol unffurf yn lleihau dwysedd diffygion ac yn cefnogi paratoi crisialau sengl SiC maint mawr o 6 modfedd ac uwch.

Optimeiddio effeithlonrwydd prosesau: Cyflymu effeithlonrwydd trosglwyddo nwy a chynyddu cyfradd twf 10-15%.

Lleihau costau cynhyrchu: Mae cydrannau hirhoedlog yn lleihau amlder cynnal a chadw offer, ac mae'r gost gyffredinol yn cael ei lleihau 20-30%.

Manteision strwythur mandyllog

Mae'r mandylledd rheoladwy (30-60%) yn optimeiddio'r llwybr trylediad nwy ac yn hyrwyddo cludo anwedd Si/C unffurf mewn PVT (dull cludo anwedd ffisegol).

Mae'r arwynebedd penodol uchel yn gwella effeithlonrwydd ymbelydredd thermol, yn helpu i ffurfio maes tymheredd unffurf, ac yn atal diffygion crisial (megis microdiwbynnau a dadleoliadau).