EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Deunydd crai twf crisial SiC
| Man Origin: | Tsieina |
| Enw Brand: | Semixlab |
| Rhif Model: | CVD SiC |
| ardystio: | ISO 9001 |
| Nifer Gorchymyn Isafswm: | Ychydig cilogram (cefnogi prynu swp bach lefel Ymchwil a Datblygu) |
| pris: | Addasu dyfynbrisiau i fanylebau sy'n cefnogi archebion purdeb uchel (≥99.9999%) |
| Manylion Pecynnu: | Potel wedi'i selio â nwy anadweithiol purdeb uchel, bag ffoil alwminiwm sy'n brawf lleithder ac yn gwrth-ocsideiddio |
| Amser Cyflawni: | 7-15 diwrnod (safonol) / 20-30 diwrnod (fformiwla wedi'i haddasu) |
| Telerau Taliad: | T/T (50% ymlaen llaw, 50% cyn ei ddanfon) |
| Cyflenwad Gallu: | Capasiti cynhyrchu misol 500kg, yn cefnogi archebion purdeb uchel (≥99.9999%) |
Disgrifiad
Deunydd crai twf crisial SiC yw'r deunydd datblygedig diweddaraf a ddatblygwyd gan Semixlab. Y prif gydran yw'r bloc SiC CVD. Mae ansawdd y grisial sengl SiC a dyfir gan y deunydd crai hwn yn rhagorol ac mae ganddo'r lefel flaenllaw yn y diwydiant.
Craidd cynnyrch llachar
Proses baratoi chwyldroadol
Gan ddefnyddio technoleg CVD gwely hylif patent annibynnol (Rhif patent: ZL2024XXXXXXX), methyl trichlorosilane (MTS) fel y rhagflaenydd, i gyflawni:
Purdeb > 99.9995% (dadansoddiad elfennol cyfan GDMS)
Cynnwys nitrogen ≤0.09ppm (dim puro ychwanegol)
Maint gronynnau 4-10mm (dull hunan-ymledu traddodiadol < 2.5mm)
Mantais twf crisial
| mynegai | dull hunan-ymledu confensiynol powdr SiC | Deunydd crai twf crisial SiC Semixlab |
| Roedd dwysedd y microtubules yn amrywio | 103~ 104cm-2 | <300 cm-2 |
| Cyfradd defnyddio deunyddiau crai | 30%% 40- | > 50% |
Diogelu'r amgylchedd a'r economi
Rhyddhau dim llygredd: gellir niwtraleiddio asid hydroclorig yn halen
Gostyngiad cost o 30%: y deunydd crai methyltrichlorosilane yw cemegyn mwyaf blaenllaw Tsieina.
Crisialau SiC wedi'u tyfu gan ddefnyddio deunydd crai twf crisial SiC
Manylion Cyflym:
1. Enwau eraill: bloc SiC CVD; darn SiC.
2. Cymhwysiad: Deunydd crai ar gyfer twf grisial sengl SiC.
3. Paramedrau craidd: Purdeb > 99.9995% (dadansoddiad elfennol cyfan GDMS), Cynnwys nitrogen ≤0.09ppm (dim puro ychwanegol), Maint gronynnau 4-10mm (dull hunan-ymledu traddodiadol < 2.5mm).
manylebau
ceisiadau
Deunydd crai ar gyfer twf grisial sengl SiC.
Mantais gystadleuol
1. Datblygiad arloesol mewn purdeb
Purdeb ≥99.9995% (dadansoddiad elfen gyfan GDMS). Cyflawnwyd cynnwys nitrogen ≤0.09ppm trwy ddyddodiad anwedd cemegol (dim puro eilaidd). Yn arbennig o addas ar gyfer anghenion twf crisial sengl SiC lled-inswleiddio.
2. Optimeiddio maint a dwysedd gronynnau
Mae maint gronynnau mawr (4-10mm), yn gwella capasiti llwytho'r crucpot yn sylweddol (mwy nag 1.5kg ar gyfer yr un gyfaint), yn lleihau diffygion capsiwleiddio carbon yn ystod twf crisialau.
3. Mae'r fantais cost yn sylweddol
Lleihau costau deunyddiau crai 30%.
Gan ddefnyddio methyltrichlorosilane (MTS) fel y rhagflaenydd, dim ond 1/3 o gost caffael y deunydd crai o'r cynllun mwg silica purdeb uchel + graffit traddodiadol yw cost caffael y deunydd crai. Cyfradd defnyddio deunydd crai > 50% (proses draddodiadol 30%-40% yn unig).
4. Proses dolen gaeedig diogelu'r amgylchedd
Dim allyriadau llygredd.
Mae asid hydroclorig, sgil-gynnyrch cynhyrchu, yn cynhyrchu halwynau diniwed trwy adwaith niwtraleiddio, gan osgoi'n llwyr y tri phroblem trin gwastraff sy'n gysylltiedig â phrosesau traddodiadol (mae costau piclo/trin nwyon gwastraff yn cyfrif am fwy na 15%).
5. Neidio ansawdd crisial
Roedd dwysedd y microdiwbynnau yn < 300 cm-2.
Mae cymhareb atom Si/C y deunydd crai yn agos at 1:1 (gwyriad y dull traddodiadol > 5%), gan leihau'r diffygion gwahanu silicon yn ystod twf crisialau. Cynnyrch ingot o 85%-92% (65%-75% o gynhyrchion cystadleuol), gan leihau colled torri crisial sengl cwsmeriaid i lawr yr afon.
